防静电工程之防静电措施及要求

防静电工程之防静电措施及要求：生产车间设备的防静电措施一般应优先选用静电放电(ESD)敏感度应不低于2级的电子元器件。若必须采用静电放电(ESD)敏感度为1级的元器件时，其保护电路应设置在仪器或设备的最低层次上，并要求静电放电(ESD)电压值应不低于2级。

　　防静电通常采取以下措施：

　　1.MOS器件所有不同的输入端引线不能悬空，应视不同电路接到电源地、电源(源极)Vss或电源(漏极)VDD上。

　　2.在MOS器件的每个输入端外部串联电阻器。

　　3. CMOS器件的输出端(模拟开关除外)可用一个电阻器把每个输出端与电缆线路隔开，并用两个高速开关二极管把电路钳位在Vss或VDD上。

　　4.使用长输入电缆时，应采用滤波网络。

　　5.在静电放电(ESD)敏感双极元器件的输入端，外接由一个电阻值较大的电阻器和一个容量不小于100pF的电容器组成的RC网络，以降低静电放电(ESD)的影响。当电路特性有规定时，也可用两个并联二极管在每个极性上钳位0.5V电压，将输入分流到地。

　　6.不准将安装在印制电路板上的静电放电(ESD)敏感元器件的引线，不经任何保护电路直接与电连接器端子相连。